Gipili nga Imahe sa Reaction Bonded Silicon Carbide Tile

Tile nga Silicon Carbide nga Gibugkos sa Reaksyon

Mubo nga Deskripsyon:

Ang reaction bonded silicon carbide, nailhan usab nga siliconized silicon carbide o SiSiC, gihimo pinaagi sa pag-infiltrate sa mga compact nga hinimo sa mga sagol nga SiC ug carbon uban sa likido nga silicon. Ang silicon mo-react sa carbon aron maporma ang dugang nga SiC nga magbugkos sa inisyal nga mga partikulo sa SiC. Ang bisan unsang sobra nga silicon mopuno sa nahabilin nga mga pores sa lawas ug mogama og dasok nga SiC-Si composite. Ang infiltration naghatag sa materyal og talagsaon nga kombinasyon sa mekanikal, thermal, ug electrical nga mga kabtangan.

Padad-i kami og email

Detalye sa Produkto

Mga Kaayohan sa Reaction Bonded Silicon Carbide

1) Ubos nga densidad.
2) Pagsukol sa kalawang.
3) Pagsukol sa pagkaguba.
4) Pagsukol sa oksihenasyon.
5) Pagsukol sa pagkagusbat.
6) Maayong resistensya sa thermal shock (tungod sa ubos nga thermal expansion coefficient ug taas nga thermal conductivity).
7) Maayo kaayong Kusog sa taas nga temperatura.
8) Maayong pagkontrol sa dimensyon sa komplikadong mga porma.

Mga produkto nga dili madaot sa pagkaguba: Silicon carbide plate, Silicon carbide brick, Pipe lining, Pipe Cone, cyclone, ug uban pa.
Mga muwebles sa kiln: Plato, Beam, Roller, Burner Nozzle, Round beam, square beam, hole beam. Crucible, Sagger, ug uban pa.
Uban pa: Mga nozzle sa desulfurization
Aplikasyon sa Reaction Bonded Silicon Carbide:
Ang reaction bonded silicon carbide napamatud-an nga usa ka maayo kaayong materyal nga kapilian alang sa mga aplikasyon sa pagkaguba sama sa mga pipe liner, Nozzle, flow control chokes ug mas dagkong mga wear component sa pagmina ingon man sa uban pang mga industriya.

Pangunang Parametro

Mga Kabtangan	Mga Yunit	SiSiC/RBSIC
Densidad sa bulk (SiC)	V01%	≥85
Densidad sa kadaghanan	g/cm³	3.01
Dayag nga porosidad	%	<0.1
Modulus sa pagkabungkag sa 20℃	Mpa	250
Modulus sa pagkabungkag sa 1200℃	Mpa	280
Modulus sa elastisidad sa 20℃	GPA	330
Kalig-on sa bali	Mpa*m1/2	3.3
Konduktibidad sa Init sa 1200℃	wm^-1.k^-1	45
Pagpalapad sa kainit sa 1200℃	usa ka × 10^-6/℃	4.5
Pagsukol sa thermal shock sa 1200℃		Maayo kaayo
Koepisyent sa radyasyon sa kainit		<0.9
Max. nga temperatura sa pagtrabaho	℃	1350

Gidak-on

mahimong ipasibo sumala sa mga kinahanglanon sa kustomer.

Serbisyo

Modawat mi og custom orders.
Kon gusto ka mahibal-an ang dugang nga impormasyon sa produkto, palihug kontaka kami ug among ihatag kanimo ang labing angay nga produkto ug labing maayo nga serbisyo!